文献
J-GLOBAL ID:201202279427117202
整理番号:12A0425551
InGaNベースの発光ダイオードにおける曲面GaN側壁による光抽出効率改善
Light Extraction Efficiency Improvement by Curved GaN Sidewalls in InGaN-Based Light-Emitting Diodes
著者 (7件):
ZHANG Yiyun
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
GUO Enqing
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
LI Zhi
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
WEI Tongbo
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
LI Jing
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
YI Xiaoyan
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
WANG Guohong
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
資料名:
IEEE Photonics Technology Letters
(IEEE Photonics Technology Letters)
巻:
24
号:
1-4
ページ:
243-245
発行年:
2012年01月01日
JST資料番号:
T0721A
ISSN:
1041-1135
CODEN:
IPTLEL
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)