文献
J-GLOBAL ID:201202279758733469
整理番号:12A0480375
イットリウム/ゲルマニウム界面の形成:室温におけるFermiレベルピンニングと混合
Formation of the yttrium/germanium interface: Fermi-level pinning and intermixing at room temperature
著者 (5件):
LIU Z. Q.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, National Univ. of Singapore, 4 Engineering Drive 3, Singapore 117576)
,
CHIM W. K.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, National Univ. of Singapore, 4 Engineering Drive 3, Singapore 117576)
,
CHIAM S. Y.
(Inst. of Materials Res. and Engineering, A*STAR (Agency for Sci., Technol. and Research), 3 Res. Link, Singapore 117602)
,
PAN J. S.
(Inst. of Materials Res. and Engineering, A*STAR (Agency for Sci., Technol. and Research), 3 Res. Link, Singapore 117602)
,
NG C. M.
(GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd, 60 Woodlands Street 2, Singapore 738406)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
100
号:
9
ページ:
092110
発行年:
2012年02月27日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)