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文献
J-GLOBAL ID：201202279758733469
整理番号：12A0480375
イットリウム/ゲルマニウム界面の形成:室温におけるFermiレベルピンニングと混合
Formation of the yttrium/germanium interface: Fermi-level pinning and intermixing at room temperature
LIU Z. Q.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, National Univ. of Singapore, 4 Engineering Drive 3, Singapore 117576)
,
CHIM W. K.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, National Univ. of Singapore, 4 Engineering Drive 3, Singapore 117576)
,
CHIAM S. Y.
(Inst. of Materials Res. and Engineering, A*STAR (Agency for Sci., Technol. and Research), 3 Res. Link, Singapore 117602)
,
PAN J. S.
(Inst. of Materials Res. and Engineering, A*STAR (Agency for Sci., Technol. and Research), 3 Res. Link, Singapore 117602)
,
NG C. M.
(GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd, 60 Woodlands Street 2, Singapore 738406)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 100 号： 9 ページ： 092110 発行年： 2012年02月27日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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