文献
J-GLOBAL ID:201202279791199362
整理番号:12A0524626
CaF2で緩衝された立方形テクスチャ型NiへのGeの低温エピタキシャル成長
Low temperature epitaxial growth of Ge on CaF2 buffered cube-textured Ni
著者 (6件):
GAIRE C.
(Dep. of Physics, Rensselaer Polytechnic Inst., Troy, NY 12180, USA)
,
PALAZZO J.
(Dep. of Physics, Rensselaer Polytechnic Inst., Troy, NY 12180, USA)
,
BHAT I.
(Dep. of Electrical Engineering, Rensselaer Polytechnic Inst., Troy, NY 12180, USA)
,
GOYAL A.
(Oak Ridge National Laboratories, Oak Ridge, TN 37831, USA)
,
WANG G.-c.
(Dep. of Physics, Rensselaer Polytechnic Inst., Troy, NY 12180, USA)
,
LU T.-m.
(Dep. of Physics, Rensselaer Polytechnic Inst., Troy, NY 12180, USA)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
343
号:
1
ページ:
33-37
発行年:
2012年03月15日
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)