文献
J-GLOBAL ID:201202279863577847
整理番号:12A0651729
GaN系発光ダイオードにおける内部電場の測定
Measurement of Internal Electric Field in GaN-Based Light-Emitting Diodes
著者 (7件):
PARK Su-Ik
(Hanyang Univ., Ansan, KOR)
,
LEE Jong-Ik
(Hanyang Univ., Ansan, KOR)
,
JANG Dong-Hyun
(Hanyang Univ., Ansan, KOR)
,
KIM Hyun-Sung
(Hanyang Univ., Ansan, KOR)
,
SHIN Dong-Soo
(Hanyang Univ., Ansan, KOR)
,
RYU Han-Youl
(Inha Univ., Incheon, KOR)
,
SHIM Jong-In
(Hanyang Univ., Ansan, KOR)
資料名:
IEEE Journal of Quantum Electronics
(IEEE Journal of Quantum Electronics)
巻:
48
号:
3-4
ページ:
500-506
発行年:
2012年03月
JST資料番号:
H0432A
ISSN:
0018-9197
CODEN:
IEJQA7
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)