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文献
J-GLOBAL ID：201202279863577847
整理番号：12A0651729
GaN系発光ダイオードにおける内部電場の測定
Measurement of Internal Electric Field in GaN-Based Light-Emitting Diodes
PARK Su-Ik
(Hanyang Univ., Ansan, KOR)
,
LEE Jong-Ik
(Hanyang Univ., Ansan, KOR)
,
JANG Dong-Hyun
(Hanyang Univ., Ansan, KOR)
,
KIM Hyun-Sung
(Hanyang Univ., Ansan, KOR)
,
SHIN Dong-Soo
(Hanyang Univ., Ansan, KOR)
,
RYU Han-Youl
(Inha Univ., Incheon, KOR)
,
SHIM Jong-In
(Hanyang Univ., Ansan, KOR)
資料名：
IEEE Journal of Quantum Electronics
(IEEE Journal of Quantum Electronics)
巻： 48 号： 3-4 ページ： 500-506 発行年： 2012年03月
JST資料番号： H0432A ISSN： 0018-9197 CODEN： IEJQA7 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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