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文献
J-GLOBAL ID：201202280376203638
整理番号：12A0960479
バイアス電圧で誘起された応力による磁気ナノコンタクト構造の改善,並びに,TaOxナノ酸化物層のスピンバルブの磁気抵抗に及ぼすその改善の影響
Modification of Magnetic Nanocontact Structure by a Bias-Voltage-Induced Stress and Its Influence on Magnetoresistance Effect in TaOx Nano-Oxide Layer Spin Valve
MIYAKE Kousaku
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
SAKI Yosinobu
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
SUZUKI Ayako
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
KAWASAKI Shohei
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
DOI Masaaki
(Tohoku Gakuin Univ., Miyagi, JPN)
,
SAHASHI Masashi
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51 号： 6,Issue 1 ページ： 063002.1-063002.8 発行年： 2012年06月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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