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文献
J-GLOBAL ID:201202280376203638   整理番号:12A0960479

バイアス電圧で誘起された応力による磁気ナノコンタクト構造の改善,並びに,TaOxナノ酸化物層のスピンバルブの磁気抵抗に及ぼすその改善の影響

Modification of Magnetic Nanocontact Structure by a Bias-Voltage-Induced Stress and Its Influence on Magnetoresistance Effect in TaOx Nano-Oxide Layer Spin Valve
著者 (6件):
MIYAKE Kousaku
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
SAKI Yosinobu
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
SUZUKI Ayako
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
KAWASAKI Shohei
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
DOI Masaaki
(Tohoku Gakuin Univ., Miyagi, JPN)
SAHASHI Masashi
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)

資料名:
Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)

巻: 51  号: 6,Issue 1  ページ: 063002.1-063002.8  発行年: 2012年06月25日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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