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文献
J-GLOBAL ID：201202280605872530
整理番号：12A1604744
セリアナノ構造の欠陥設計に及ぼすGdドーパント濃度影響
Effect of Gd dopant concentration on the defect engineering in ceria nanostructures
M. Sakar
(National Centre for Nanoscience and Nanotechnology, Univ. of Madras, Chennai 600025, IND)
,
RAJKUMAR Rubini
(National Centre for Nanoscience and Nanotechnology, Univ. of Madras, Chennai 600025, IND)
,
S. Tripathy
(Inst. of Materials Res. and Engineering, A*STAR (Agency for Sci., Technol., and Research), 3 Res. Link, Singapore ...)
,
S. Balakumar
(National Centre for Nanoscience and Nanotechnology, Univ. of Madras, Chennai 600025, IND)
資料名：
Materials Research Bulletin
(Materials Research Bulletin)
巻： 47 号： 12 ページ： 4340-4346 発行年： 2012年12月
JST資料番号： B0954A ISSN： 0025-5408 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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