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文献
J-GLOBAL ID：201202280674238401
整理番号：12A1005979
Si-Crベース融液を用いた4H-SiCバルク結晶の溶液引き上げ成長
Top-Seeded Solution Growth of 4H-SiC Bulk Crystal Using Si-Cr Based Melt
DAIKOKU H.
(Toyota Motor Corp., Shizuoka, JPN)
,
KADO M.
(Toyota Motor Corp., Shizuoka, JPN)
,
SAKAMOTO H.
(Toyota Motor Corp., Shizuoka, JPN)
,
SUZUKI H.
(Toyota Motor Corp., Shizuoka, JPN)
,
BESSHO T.
(Toyota Motor Corp., Shizuoka, JPN)
,
KUSUNOKI K.
(Sumitomo Metal Ind. Ltd., Hyogo, JPN)
,
YASHIRO N.
(Sumitomo Metal Ind. Ltd., Hyogo, JPN)
,
OKADA N.
(Sumitomo Metal Ind. Ltd., Hyogo, JPN)
,
MORIGUCHI K.
(Sumitomo Metal Ind. Ltd., Hyogo, JPN)
,
KAMEI K.
(Sumitomo Metal Ind. Ltd., Hyogo, JPN)
資料名：
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻： 717/720 号： Pt.1 ページ： 61-64 発行年： 2012年
JST資料番号： D0716B ISSN： 0255-5476 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE) 言語： 英語 (EN)
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