文献
J-GLOBAL ID:201202280815222679
整理番号:12A1776502
N極性GaN高電子移動度トランジスタにおける異常出力コンダクタンス
Anomalous Output Conductance in N-Polar GaN High Electron Mobility Transistors
著者 (7件):
WONG Man Hoi
(Univ. California, CA, USA)
,
WONG Man Hoi
(SEMATECH Inc., TX, USA)
,
SINGISETTI Uttam
(Univ. California, CA, USA)
,
SINGISETTI Uttam
(Univ. NY, USA)
,
LU Jing
(Univ. California, CA, USA)
,
SPECK James S.
(Univ. California, CA, USA)
,
MISHRA Umesh K.
(Univ. California, CA, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
59
号:
11
ページ:
2988-2995
発行年:
2012年11月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)