文献
J-GLOBAL ID:201202281161814047
整理番号:12A0863038
Ag-Ge-As-S系のアモルファスカルコゲナイドの電気的性質に対する高圧の影響
Influence of high pressure on the electrical properties of amorphous chalcogenides of the Ag-Ge-As-S system
著者 (4件):
SHAKIROV E. F.
(Ural Federal Univ. named after the first President of Russia B.N.Yeltsin, 620000, Yekaterinburg, RUS)
,
KHEIFETS O. L.
(Ural Federal Univ. named after the first President of Russia B.N.Yeltsin, 620000, Yekaterinburg, RUS)
,
MELNIKOVA N. V.
(Ural Federal Univ. named after the first President of Russia B.N.Yeltsin, 620000, Yekaterinburg, RUS)
,
BABUSHKIN A. N.
(Ural Federal Univ. named after the first President of Russia B.N.Yeltsin, 620000, Yekaterinburg, RUS)
資料名:
Bulletin of the Russian Academy of Sciences. Physics
(Bulletin of the Russian Academy of Sciences. Physics)
巻:
76
号:
3
ページ:
351-354
発行年:
2012年03月
JST資料番号:
A1043A
ISSN:
1062-8738
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)