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文献
J-GLOBAL ID：201202281205773076
整理番号：12A1730732
TiO2界面層を用いたn+Geに対する比接触抵抗の減少
Reduction in Specific Contact Resistivity to n+ Ge Using TiO2 Interfacial Layer
LIN J.-Y. Jason
(Stanford Univ., CA, USA)
,
ROY Arunanshu M.
(Stanford Univ., CA, USA)
,
SARASWAT Krishna C.
(Stanford Univ., CA, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 33 号： 11 ページ： 1541-1543 発行年： 2012年11月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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