文献
J-GLOBAL ID:201202281246139853
整理番号:12A1066816
インライン式AP-MOCVDによるCdTe層蒸着時の材料利用率
Material utilisation when depositing CdTe layers by inline AP-MOCVD
著者 (5件):
BARRIOZ V.
(Centre for Solar Energy Res. (CSER), OpTIC Glyndwr, St Asaph Business Park, St Asaph LL17 0JD, GBR)
,
KARTOPU G.
(Centre for Solar Energy Res. (CSER), OpTIC Glyndwr, St Asaph Business Park, St Asaph LL17 0JD, GBR)
,
IRVINE S.j.c.
(Centre for Solar Energy Res. (CSER), OpTIC Glyndwr, St Asaph Business Park, St Asaph LL17 0JD, GBR)
,
MONIR S.
(Centre for Solar Energy Res. (CSER), OpTIC Glyndwr, St Asaph Business Park, St Asaph LL17 0JD, GBR)
,
YANG X.
(Glyndwr Univ., Inst. for Arts, Sci. and Technol., Mold Road, Wrexham LL11 2AW, GBR)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
354
号:
1
ページ:
81-85
発行年:
2012年09月01日
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)