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J-GLOBAL ID:201202281246139853   整理番号:12A1066816

インライン式AP-MOCVDによるCdTe層蒸着時の材料利用率

Material utilisation when depositing CdTe layers by inline AP-MOCVD
著者 (5件):
BARRIOZ V.
(Centre for Solar Energy Res. (CSER), OpTIC Glyndwr, St Asaph Business Park, St Asaph LL17 0JD, GBR)
KARTOPU G.
(Centre for Solar Energy Res. (CSER), OpTIC Glyndwr, St Asaph Business Park, St Asaph LL17 0JD, GBR)
IRVINE S.j.c.
(Centre for Solar Energy Res. (CSER), OpTIC Glyndwr, St Asaph Business Park, St Asaph LL17 0JD, GBR)
MONIR S.
(Centre for Solar Energy Res. (CSER), OpTIC Glyndwr, St Asaph Business Park, St Asaph LL17 0JD, GBR)
YANG X.
(Glyndwr Univ., Inst. for Arts, Sci. and Technol., Mold Road, Wrexham LL11 2AW, GBR)

資料名:
Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)

巻: 354  号:ページ: 81-85  発行年: 2012年09月01日 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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