文献
J-GLOBAL ID:201202281416383100
整理番号:12A0997117
SiCxNyHz膜の物理的性質
Physical properties of the SiCxNyHz films
著者 (4件):
SHAYAPOV V. R.
(Nikolaev Inst. Inorganic Chemistry, Novosibirsk, RUS)
,
RUMYANTSEV Yu. M.
(Nikolaev Inst. Inorganic Chemistry, Novosibirsk, RUS)
,
FAINER N. I.
(Nikolaev Inst. Inorganic Chemistry, Novosibirsk, RUS)
,
AYUPOV B. M.
(Nikolaev Inst. Inorganic Chemistry, Novosibirsk, RUS)
資料名:
Key Engineering Materials
(Key Engineering Materials)
巻:
508
ページ:
283-286
発行年:
2012年
JST資料番号:
D0744C
ISSN:
1013-9826
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)