文献
J-GLOBAL ID:201202281593127407
整理番号:12A1101671
高温で蒸発したKOHを用いた4H-SiCの(000<span style=text-decoration:overline>1</span>)炭素面からの転位表出
Dislocation Revelation from (000<span style=text-decoration:overline>1</span>) Carbon-face of 4H-SiC by Using Vaporized KOH at High Temperature
著者 (7件):
YAO Yong-Zhao
(Japan Fine Ceramics Center (JFCC), Nagoya, JPN)
,
ISHIKAWA Yukari
(Japan Fine Ceramics Center (JFCC), Nagoya, JPN)
,
SATO Koji
(Japan Fine Ceramics Center (JFCC), Nagoya, JPN)
,
SUGAWARA Yoshihiro
(Japan Fine Ceramics Center (JFCC), Nagoya, JPN)
,
DANNO Katsunori
(Toyota Motor Corp., Shizuoka, JPN)
,
SUZUKI Hiroshi
(Toyota Motor Corp., Shizuoka, JPN)
,
BESSHO Takeshi
(Toyota Motor Corp., Shizuoka, JPN)
資料名:
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻:
5
号:
7
ページ:
075601.1-075601.3
発行年:
2012年07月25日
JST資料番号:
F0599C
ISSN:
1882-0778
CODEN:
APEPC4
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)