文献
J-GLOBAL ID:201202281660572623
整理番号:12A1603112
InAs/GaSb超格子中の電気輸送: 表面状態と界面粗さの役割
Electrical transport in InAs/GaSb superlattice: role of surface states and interface roughness
著者 (8件):
RAO T V Chandrasekhar
(Bhabha Atomic Res. Centre, Mumbai, IND)
,
NAIR Selvakumar V
(Univ. Toronto, Ontario, CAN)
,
RUDA Harry E
(Univ. Toronto, Ontario, CAN)
,
ANTOSZEWSKI J
(Univ. Western Australia, WA, AUS)
,
RODRIGUEZ J B
(Univ. Montpellier 2, Montpellier, FRA)
,
PLIS E
(Univ. New Mexico, NM, USA)
,
KRISHNA S
(Univ. New Mexico, NM, USA)
,
FARAONE L
(Univ. Western Australia, WA, AUS)
資料名:
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻:
27
号:
10
ページ:
105025,1-7
発行年:
2012年10月
JST資料番号:
E0503B
ISSN:
0268-1242
CODEN:
SSTEET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)