文献
J-GLOBAL ID:201202281749701915
整理番号:12A1763718
RhSiの仕事関数およびYoung率の関係とRhSi/Si界面でのSchottky障壁高さの推定 ab initio研究
Relation between the work function and Young’s modulus of RhSi and estimate of Schottky-barrier height at RhSi/Si interface: An ab-initio study
著者 (2件):
NIRANJAN Manish K.
(Dep. of Physics; Indian Inst. of Technol., Hyderabad, IND)
,
WAGHMARE Umesh V.
(Theoretical Sciences Unit; Jawaharlal Nehru Center for Advanced Scientific Res., Bangalore, IND)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
112
号:
9
ページ:
093702-093702-5
発行年:
2012年11月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)