文献
J-GLOBAL ID:201202282141039663
整理番号:12A0900413
多孔性シリコンとTiO2:Crのスパッタ蒸着に基づく2重処理の手段による多結晶シリコン中の少数キャリア寿命の増大
Minority carrier lifetime enhancement in multicrystalline silicon by means of a dual treatment based on porous silicon and sputter-deposition of TiO2:Cr passivation layers
著者 (7件):
HAJJAJI A.
(Inst. National de la Rech. Scientifique, INRS-Energie, Materiaux et Telecommunications, 1650, Blvd. Lionel-Boulet ...)
,
HAJJAJI A.
(Lab. de Photovoltaieque, Centre de Recherches et des Technologies de l’Energie, Technopole de Borj-Cedria, BP 95 ...)
,
RABHA M. Ben
(Lab. de Photovoltaieque, Centre de Recherches et des Technologies de l’Energie, Technopole de Borj-Cedria, BP 95 ...)
,
JANENE N.
(Lab. de Photovoltaieque, Centre de Recherches et des Technologies de l’Energie, Technopole de Borj-Cedria, BP 95 ...)
,
GAIDI M.
(Lab. de Photovoltaieque, Centre de Recherches et des Technologies de l’Energie, Technopole de Borj-Cedria, BP 95 ...)
,
BESSAIS B.
(Lab. de Photovoltaieque, Centre de Recherches et des Technologies de l’Energie, Technopole de Borj-Cedria, BP 95 ...)
,
KHAKANI M.a. El
(Inst. National de la Rech. Scientifique, INRS-Energie, Materiaux et Telecommunications, 1650, Blvd. Lionel-Boulet ...)
資料名:
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻:
258
号:
20
ページ:
8046-8048
発行年:
2012年08月01日
JST資料番号:
B0707B
ISSN:
0169-4332
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)