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文献
J-GLOBAL ID:201202282141039663   整理番号:12A0900413

多孔性シリコンとTiO2:Crのスパッタ蒸着に基づく2重処理の手段による多結晶シリコン中の少数キャリア寿命の増大

Minority carrier lifetime enhancement in multicrystalline silicon by means of a dual treatment based on porous silicon and sputter-deposition of TiO2:Cr passivation layers
著者 (7件):
HAJJAJI A.
(Inst. National de la Rech. Scientifique, INRS-Energie, Materiaux et Telecommunications, 1650, Blvd. Lionel-Boulet ...)
HAJJAJI A.
(Lab. de Photovoltaieque, Centre de Recherches et des Technologies de l’Energie, Technopole de Borj-Cedria, BP 95 ...)
RABHA M. Ben
(Lab. de Photovoltaieque, Centre de Recherches et des Technologies de l’Energie, Technopole de Borj-Cedria, BP 95 ...)
JANENE N.
(Lab. de Photovoltaieque, Centre de Recherches et des Technologies de l’Energie, Technopole de Borj-Cedria, BP 95 ...)
GAIDI M.
(Lab. de Photovoltaieque, Centre de Recherches et des Technologies de l’Energie, Technopole de Borj-Cedria, BP 95 ...)
BESSAIS B.
(Lab. de Photovoltaieque, Centre de Recherches et des Technologies de l’Energie, Technopole de Borj-Cedria, BP 95 ...)
KHAKANI M.a. El
(Inst. National de la Rech. Scientifique, INRS-Energie, Materiaux et Telecommunications, 1650, Blvd. Lionel-Boulet ...)

資料名:
Applied Surface Science  (Applied Surface Science)

巻: 258  号: 20  ページ: 8046-8048  発行年: 2012年08月01日 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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