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文献
J-GLOBAL ID：201202282212800433
整理番号：12A0417171
高信高度4H-SiCのMIS装置での窒素取込みによるAl2O3/SiO2積層ゲート誘電体における電荷トラッピングサイトの低減
Reduction of Charge Trapping Sites in Al2O3/SiO2 Stacked Gate Dielectrics by Incorporating Nitrogen for Highly Reliable 4H-SiC MIS Devices
HOSOI Takuji
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
KAGEI Yusuke
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
KIRINO Takashi
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
MITANI Shuhei
(ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN)
,
NAKANO Yuki
(ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN)
,
NAKAMURA Takashi
(ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN)
,
SHIMURA Takayoshi
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
WATANABE Heiji
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名：
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻： 679/680 ページ： 496-499 発行年： 2011年
JST資料番号： D0716B ISSN： 0255-5476 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE) 言語： 英語 (EN)
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