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文献
J-GLOBAL ID：201202282315760332
整理番号：12A1187598
抵抗RAMのための酸化アルミニウム中の酸素空格子点により生じた伝導バンド
Conduction band caused by oxygen vacancies in aluminum oxide for resistance random access memory
NIGO Seisuke
(National Inst. for Materials Sci., 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, JPN)
,
KUBOTA Masato
(Japan Atomic Energy Agency, 2-4 Shirane Shirakata, Tokai-mura, Ibaraki 319-1195, JPN)
,
HARADA Yoshitomo
(National Inst. for Materials Sci., 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, JPN)
,
HIRAYAMA Taisei
(Rigaku Corp., 3-9-12 Matsubara-cho, Akishima, Tokyo 196-8666, JPN)
,
KATO Seiichi
(National Inst. for Materials Sci., 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, JPN)
,
KITAZAWA Hideaki
(National Inst. for Materials Sci., 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, JPN)
,
KIDO Giyuu
(National Inst. for Materials Sci., 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 112 号： 3 ページ： 033711-033711-6 発行年： 2012年08月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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