文献
J-GLOBAL ID:201202282766089162
整理番号:12A0706158
革新的な直接電流電流-電圧技術によるシャロートレンチアイソレーションを基にした高電圧横方向拡散金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタにおけるホットキャリアの研究
Investigation of Hot Carrier Degradation in Shallow-Trench-Isolation-Based High-Voltage Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors by a Novel Direct Current Current-Voltage Technique
著者 (2件):
HE Yandong
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
ZHANG Ganggang
(Peking Univ., Beijing, CHN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
51
号:
4,Issue 2
ページ:
04DP08.1-04DP08.4
発行年:
2012年04月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)