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文献
J-GLOBAL ID：201202283095738850
整理番号：12A1706172
MOVPEによる(100)GaAs基板上に成長させたZnTeエピタキシャル層の光学的性質に及ぼす基板温度の影響
Effects of substrate temperature upon optical properties of ZnTe epilayers grown on (100) GaAs substrates by MOVPE
HUANG Shulai
(Shandong Univ., Jinan, CHN)
,
HUANG Shulai
(Qingdao Agricultural Univ., Qingdao, CHN)
,
JI Ziwu
(Shandong Univ., Jinan, CHN)
,
ZHAO Mingwen
(Shandong Univ., Jinan, CHN)
,
ZHANG Lei
(Shandong Univ., Jinan, CHN)
,
GUO Hongyu
(Shandong Univ., Jinan, CHN)
,
LIU Baoli
(Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
,
XU Xiangang
(Shandong Univ., Jinan, CHN)
,
GUO Qixin
(Saga Univ., Saga, JPN)
資料名：
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science
(Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 209 号： 10 ページ： 2041-2044 発行年： 2012年10月
JST資料番号： D0774A ISSN： 1862-6300 CODEN： PSSABA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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