文献
J-GLOBAL ID:201202283708073856
整理番号:12A1515964
電気化学的容量-電圧測定によるAlN/GaNへテロ構造の表面ポテンシャル解析
Surface potential analysis of AlN/GaN heterostructures by electrochemical capacitance-voltage measurements
著者 (6件):
PIETZKA C.
(Inst. of Electron Devices and Circuits, Ulm Univ., 89069 Ulm, DEU)
,
LI G.
(Dep. of Electrical Engineering, Univ. of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556, USA)
,
ALOMARI M.
(Inst. of Electron Devices and Circuits, Ulm Univ., 89069 Ulm, DEU)
,
XING H.
(Dep. of Electrical Engineering, Univ. of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556, USA)
,
JENA D.
(Dep. of Electrical Engineering, Univ. of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556, USA)
,
KOHN E.
(Inst. of Electron Devices and Circuits, Ulm Univ., 89069 Ulm, DEU)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
112
号:
7
ページ:
074508-074508-5
発行年:
2012年10月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)