文献
J-GLOBAL ID:201202283870827368
整理番号:12A0387285
プラズマ補助型CVDによる低基板温度でのSi(111)における3C-SiCのヘテロエピタキシャル成長
Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si(111) at Low Substrate Temperature by Plasma Assisted CVD
著者 (2件):
SHIMIZU Hideki
(Aichi Univ. Education, Aichi, JPN)
,
KATO Akira
(Aichi Univ. Education, Aichi, JPN)
資料名:
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻:
600/603
号:
Pt.1
ページ:
235-238
発行年:
2009年
JST資料番号:
D0716B
ISSN:
0255-5476
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)