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文献
J-GLOBAL ID：201202283896871373
整理番号：12A1306321
水素シルセスキオキサンを用いたトップゲートエピタキシャルグラフェンナノリボンFETの作製
Fabrication of top-gated epitaxial graphene nanoribbon FETs using hydrogen-silsesquioxane
HWANG Wan Sik
(Dep. of Electrical Engineering, Univ. of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556)
,
TAHY Kristof
(Dep. of Electrical Engineering, Univ. of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556)
,
NYAKITI Luke O.
(U.S. Naval Res. Lab., Washington, District of Columbia 20375)
,
WHEELER Virginia D.
(U.S. Naval Res. Lab., Washington, District of Columbia 20375)
,
MYERS-WARD Rachael. L.
(U.S. Naval Res. Lab., Washington, District of Columbia 20375)
,
EDDY C. R.
(U.S. Naval Res. Lab., Washington, District of Columbia 20375)
,
GASKILL D. Kurt
(U.S. Naval Res. Lab., Washington, District of Columbia 20375)
,
(GRACE) XING Huili
(Dep. of Electrical Engineering, Univ. of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556)
,
SEABAUGH Alan
(Dep. of Electrical Engineering, Univ. of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556)
,
JENA Debdeep
(Dep. of Electrical Engineering, Univ. of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 30 号： 3 ページ： 03D104-03D104-4 発行年： 2012年05月
JST資料番号： E0974A ISSN： 2166-2746 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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