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文献
J-GLOBAL ID：201202284366667640
整理番号：12A0722507
通信用の光検出への応用を目指したGaInNAsの吸収層を持つGaAs/AlGaAsから成る共鳴トンネルダイオード
GaAs/AlGaAs resonant tunneling diodes with a GaInNAs absorption layer for telecommunication light sensing
HARTMANN F.
(Technische Physik, Physikalisches Inst., Universitaet Wuerzburg and Wilhelm Conrad Roentgen Res. Center for Complex ...)
,
LANGER F.
(Technische Physik, Physikalisches Inst., Universitaet Wuerzburg and Wilhelm Conrad Roentgen Res. Center for Complex ...)
,
BISPING D.
(Technische Physik, Physikalisches Inst., Universitaet Wuerzburg and Wilhelm Conrad Roentgen Res. Center for Complex ...)
,
MUSTERER A.
(Univ. of British Columbia, Vancouver, British Columbia V6T 1Z1, CAN)
,
HOEFLING S.
(Technische Physik, Physikalisches Inst., Universitaet Wuerzburg and Wilhelm Conrad Roentgen Res. Center for Complex ...)
,
KAMP M.
(Technische Physik, Physikalisches Inst., Universitaet Wuerzburg and Wilhelm Conrad Roentgen Res. Center for Complex ...)
,
FORCHEL A.
(Technische Physik, Physikalisches Inst., Universitaet Wuerzburg and Wilhelm Conrad Roentgen Res. Center for Complex ...)
,
WORSCHECH L.
(Technische Physik, Physikalisches Inst., Universitaet Wuerzburg and Wilhelm Conrad Roentgen Res. Center for Complex ...)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 100 号： 17 ページ： 172113-172113-3 発行年： 2012年04月23日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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