文献
J-GLOBAL ID:201202284508418057
整理番号:12A0726393
極低温HEMT用のゲートジオメトリの役割: 4.2K,1kHzにおける0.5nV/√(Hz)以下の入力電圧雑音について
The Role of the Gate Geometry for Cryogenic HEMTs: Towards an Input Voltage Noise Below 0.5nV/√(Hz) at 1 kHz and 4.2 K
著者 (5件):
DONG Q.
(CNRS, Lab. de Photonique et de Nanostructures, Route de Nozay, 91460, Marcoussis, FRA)
,
LIANG Y. X.
(CNRS, Lab. de Photonique et de Nanostructures, Route de Nozay, 91460, Marcoussis, FRA)
,
GENNSER U.
(CNRS, Lab. de Photonique et de Nanostructures, Route de Nozay, 91460, Marcoussis, FRA)
,
CAVANNA A.
(CNRS, Lab. de Photonique et de Nanostructures, Route de Nozay, 91460, Marcoussis, FRA)
,
JIN Y.
(CNRS, Lab. de Photonique et de Nanostructures, Route de Nozay, 91460, Marcoussis, FRA)
資料名:
Journal of Low Temperature Physics
(Journal of Low Temperature Physics)
巻:
167
号:
5-6
ページ:
626-631
発行年:
2012年06月
JST資料番号:
E0115C
ISSN:
0022-2291
CODEN:
JLTPAC
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)