文献
J-GLOBAL ID:201202284693404563
整理番号:12A0370072
自立(001)3C-SiCエピ層の高温溶液成長
High Temperature Solution Growth on Free-standing (001) 3C-SiC Epilayers
著者 (4件):
TANAKA Ryo
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
SEKI Kazuaki
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
UJIHARA Toru
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
TAKEDA Yoshikazu
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名:
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻:
615/617
ページ:
37-40
発行年:
2009年
JST資料番号:
D0716B
ISSN:
0255-5476
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)