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文献
J-GLOBAL ID：201202285531199679
整理番号：12A0507758
ホットキャリアストレス下での非晶質インジウム-ガリウム-亜鉛-酸化物薄膜トランジスターにおける酸素吸着により誘起される異常静電容量崩壊
Oxygen-Adsorption-Induced Anomalous Capacitance Degradation in Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide Thin-Film-Transistors under Hot-Carrier Stress
CHUNG Wan-Fang
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHANG Ting-Chang
(National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
LIN Chia-Sheng
(National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
TU Kuan-Jen
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
LI Hung-Wei
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
TSENG Tseung-Yuen
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHEN Ying-Chung
(National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
TAI Ya-Hsiang
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名：
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻： 159 号： 3 ページ： H286-H289 発行年： 2012年
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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