文献
J-GLOBAL ID:201202285654189295
整理番号:12A0895101
GaBiAs/GaAs層の電子バンド構造 歪とバンド反交差の影響
The electronic band structure of GaBiAs/GaAs layers: Influence of strain and band anti-crossing
著者 (6件):
BATOOL Z.
(Advanced Technol. Inst. and Dep. of Physics, Univ. of Surrey, Guildford, Surrey GU2 7XH, GBR)
,
HILD K.
(Advanced Technol. Inst. and Dep. of Physics, Univ. of Surrey, Guildford, Surrey GU2 7XH, GBR)
,
HOSEA T. J. C.
(Advanced Technol. Inst. and Dep. of Physics, Univ. of Surrey, Guildford, Surrey GU2 7XH, GBR)
,
LU X.
(Dep. of Physics and Astronomy, Univ. of British Columbia, Vancouver, V6T 1Z4, CAN)
,
TIEDJE T.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Victoria, Victoria BC, V8W 3P6, CAN)
,
SWEENEY S. J.
(Advanced Technol. Inst. and Dep. of Physics, Univ. of Surrey, Guildford, Surrey GU2 7XH, GBR)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
111
号:
11
ページ:
113108-113108-7
発行年:
2012年06月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)