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文献
J-GLOBAL ID：201202285801902695
整理番号：12A1081015
4H-SiCから成るダイオードにおける漏れ電流に対する貫通転位上の表面形態の影響
Impact of surface morphology above threading dislocations on leakage current in 4H-SiC diodes
FUJIWARA Hirokazu
(Toyota Motor Corp., Toyota, Aichi 470-0309, JPN)
,
NARUOKA Hideki
(Toyota Motor Corp., Toyota, Aichi 470-0309, JPN)
,
KONISHI Masaki
(Toyota Motor Corp., Toyota, Aichi 470-0309, JPN)
,
HAMADA Kimimori
(Toyota Motor Corp., Toyota, Aichi 470-0309, JPN)
,
KATSUNO Takashi
(Power Electronics Res. Div., Toyota Central R&D Laboratories Inc., Nagakute, Aichi 480-1192, JPN)
,
ISHIKAWA Tsuyoshi
(Power Electronics Res. Div., Toyota Central R&D Laboratories Inc., Nagakute, Aichi 480-1192, JPN)
,
WATANABE Yukihiko
(Power Electronics Res. Div., Toyota Central R&D Laboratories Inc., Nagakute, Aichi 480-1192, JPN)
,
ENDO Takeshi
(Res. Laboratories, DENSO CORPORATION, Nisshin, Aichi 470-0111, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 101 号： 4 ページ： 042104-042104-4 発行年： 2012年07月23日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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