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文献
J-GLOBAL ID：201202285944067738
整理番号：12A0495307
水素化した窒化ケイ素のエッチングの真空紫外及び紫外放射誘導効果: 表面反応増強及び損傷発生
Vacuum Ultraviolet and Ultraviolet Radiation-Induced Effect of Hydrogenated Silicon Nitride Etching: Surface Reaction Enhancement and Damage Generation
FUKASAWA Masanaga
(Sony Corp., Kanagawa, JPN)
,
FUKASAWA Masanaga
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
MIYAWAKI Yudai
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
KONDO Yusuke
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
TAKEDA Keigo
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
KONDO Hiroki
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
ISHIKAWA Kenji
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
SEKINE Makoto
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
MATSUGAI Hiroyasu
(Sony Corp., Kanagawa, JPN)
,
HONDA Takayoshi
(Sony Corp., Kanagawa, JPN)
,
MINAMI Masaki
(Sony Corp., Kanagawa, JPN)
,
UESAWA Fumikatsu
(Sony Corp., Kanagawa, JPN)
,
HORI Masaru
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
TATSUMI Tetsuya
(Sony Corp., Kanagawa, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51 号： 2,Issue 1 ページ： 026201.1-026201.7 発行年： 2012年02月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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