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文献
J-GLOBAL ID：201202286266309200
整理番号：12A1719338
融液成長希薄磁性半導体Ge1-xMnxにおける電子密度からの磁性
Magnetism in melt grown dilute magnetic semiconductor Ge1-x Mn x from electron density
SHEEBA R.a.j.r.
(Res. Centre and PG Dep. of Physics, The Madura Coll., Madurai 625 011, Tamil Nadu, IND)
,
SARAVANAN R.
(Res. Centre and PG Dep. of Physics, The Madura Coll., Madurai 625 011, Tamil Nadu, IND)
,
JOHN BERCHMANS L.
(Electropyrometallurgy Div., CECRI, Karaikudi 630 006, Tamil Nadu, IND)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 15 号： 6 ページ： 731-739 発行年： 2012年12月
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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