文献
J-GLOBAL ID:201202287236371179
整理番号:12A1115318
プラズマ支援分子ビームエピタクシーによってO面のZnO(0001)上にInNを成長させる場合におけるGaの効果
Effects of Ga on the growth of InN on O-face ZnO(0001) by plasma-assisted molecular beam epitaxy
著者 (5件):
CHO Yongjin
(Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, DEU)
,
KORYTOV Maxim
(Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung, Max-Born-Str. 2, 12489 Berlin, DEU)
,
ALBRECHT Martin
(Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung, Max-Born-Str. 2, 12489 Berlin, DEU)
,
RIECHERT Henning
(Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, DEU)
,
BRANDT Oliver
(Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, DEU)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
101
号:
5
ページ:
052103-052103-4
発行年:
2012年07月30日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)