文献
J-GLOBAL ID:201202287377684936
整理番号:12A0146741
一方向性シリコン凝固に向けた3Dマルチフィジクスモデルの検証
Validation of a 3D multi-physics model for unidirectional silicon solidification
著者 (6件):
SIMONS Philip
(TNO Sci. and Ind., Dep. of Process Modeling and Control, P.O. Box 6235, 5600 HE Eindhoven, NLD)
,
LANKHORST Adriaan
(TNO Sci. and Ind., Dep. of Process Modeling and Control, P.O. Box 6235, 5600 HE Eindhoven, NLD)
,
HABRAKEN Andries
(TNO Sci. and Ind., Dep. of Process Modeling and Control, P.O. Box 6235, 5600 HE Eindhoven, NLD)
,
FABER Anne-jans
(TNO Sci. and Ind., Dep. of Process Modeling and Control, P.O. Box 6235, 5600 HE Eindhoven, NLD)
,
TIULEANU Dumitru
(PVA TePla AG, Competence Center for Industrial Crystal Growing Systems (CCIC), Im Westpark 10-12, 35435 Wettenberg, DEU)
,
PINGEL Roger
(PVA TePla AG, Competence Center for Industrial Crystal Growing Systems (CCIC), Im Westpark 10-12, 35435 Wettenberg, DEU)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
340
号:
1
ページ:
102-111
発行年:
2012年02月01日
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)