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文献
J-GLOBAL ID：201202287409057602
整理番号：12A1570911
AlGaN階段電子ブロッキング層を備えたInGaNベース発光ダイオード
InGaN-Based Light-Emitting Diodes With an AlGaN Staircase Electron Blocking Layer
CHANG Shoou-Jinn
(China Univ. Petroleum (East China), Qingdao, CHN)
,
CHANG Shoou-Jinn
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
YU Sheng-Fu
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
LIN Ray-Ming
(Chang Gung Univ., Taoyuan, TWN)
,
LI Shuguang
(China Univ. Petroleum (East China), Qingdao, CHN)
,
CHIANG Tsung-Hsun
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
CHANG Sheng-Po
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
CHEN Chang-Ho
(MOME, Taoyuan, TWN)
資料名：
IEEE Photonics Technology Letters
(IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 24 号： 17-20 ページ： 1737-1740 発行年： 2012年09月01日
JST資料番号： T0721A ISSN： 1041-1135 CODEN： IPTLEL 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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