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文献
J-GLOBAL ID：201202287678510976
整理番号：12A0495381
低-高-低電場プロフィールの逆InAlAs/InGaAsアバランシェフォトダイオード
Inverted InAlAs/InGaAs Avalanche Photodiode with Low-High-Low Electric Field Profile
NADA Masahiro
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
MURAMOTO Yoshifumi
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
YOKOYAMA Haruki
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
SHIGEKAWA Naoteru
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
ISHIBASHI Tadao
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
KODAMA Satoshi
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51 号： 2,Issue 2 ページ： 02BG03.1-02BG03.4 発行年： 2012年02月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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