文献
J-GLOBAL ID:201202289835026580
整理番号:12A1584226
2重ゲート構造を用いたアモルファスInGaZnO4薄膜トランジスタのトップゲート効果のキャラクタライゼーション
Characterization of Top-Gate Effects in Amorphous InGaZnO4 Thin-Film Transistors Using a Dual-Gate Structure
著者 (6件):
TAKECHI Kazushige
(NLT Technol., Ltd., Kawasaki, JPN)
,
IWAMATSU Shinnosuke
(Yamagata Res. Inst. of Technol., Yamagata, JPN)
,
YAHAGI Toru
(Yamagata Res. Inst. of Technol., Yamagata, JPN)
,
WATANABE Yoshiyuki
(Yamagata Res. Inst. of Technol., Yamagata, JPN)
,
KOBAYASHI Seiya
(Yamagata Res. Inst. of Technol., Yamagata, JPN)
,
TANABE Hiroshi
(NLT Technol., Ltd., Kawasaki, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
51
号:
10,Issue 1
ページ:
104201.1-104201.7
発行年:
2012年10月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)