文献
J-GLOBAL ID:201202289969660242
整理番号:12A1093485
サファイアまたはシリコン上にエピタキシャルに成長させたin situ 高濃度または低濃度ドープまたはSi注入したGaN上でのTiAl Ohm接触
TiAl Ohmic contact on GaN, in situ high or low doped or Si implanted, epitaxially grown on sapphire or silicon
著者 (7件):
CAYREL F.
(Univ. Tours, Tours, FRA)
,
MENARD O.
(Univ. Tours, Tours, FRA)
,
YVON A.
(STMicroelectronics, Tours, FRA)
,
THIERRY-JEBALI N.
(Univ. Claude Bernard Lyon1, Lyon, FRA)
,
BRYLINSKY C.
(Univ. Claude Bernard Lyon1, Lyon, FRA)
,
COLLARD E.
(STMicroelectronics, Tours, FRA)
,
ALQUIER D.
(Univ. Tours, Tours, FRA)
資料名:
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science
(Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻:
209
号:
6
ページ:
1059-1066
発行年:
2012年06月
JST資料番号:
D0774A
ISSN:
1862-6300
CODEN:
PSSABA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)