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文献
J-GLOBAL ID：201202290048384019
整理番号：12A1099655
ISFETを用いた高利得νMOS化学インバーター
High gain ISFET based νMOS chemical inverter
AL-AHDAL Abdulrahman
(Inst. of Biomedical Engineering, Bessemer Building, Imperial Coll. London, South Kensington Campus, London SW7 2AZ, GBR)
,
TOUMAZOU Christofer
(Founding director of the Inst. of Biomedical Engineering, Bessemer Building, Imperial Coll. London, South Kensington ...)
資料名：
Sensors and Actuators. B. Chemical
(Sensors and Actuators. B. Chemical)
巻： 171-172 ページ： 110-117 発行年： 2012年08月
JST資料番号： T0967A ISSN： 0925-4005 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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