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文献
J-GLOBAL ID:201202290270005166   整理番号:12A0410444

InGaAs MOSFETにおけるソース充電時間の検討

Study of source charging time in InGaAs MOSFET
著者 (3件):
宮本恭幸
(東京工大)
山田真之
(東京工大)
内田建
(東京工大)

資料名:
電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))

巻: 111  号: 373(ED2011 119-141)  ページ: 59-62  発行年: 2012年01月04日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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