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J-GLOBAL ID：201202290270005166 整理番号：12A0410444

InGaAs MOSFETにおけるソース充電時間の検討

Study of source charging time in InGaAs MOSFET

著者 (3件)：

宮本恭幸

(東京工大)

山田真之

(東京工大)

内田建

(東京工大)

資料名：

電子情報通信学会技術研究報告 (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))

巻： 111 号： 373(ED2011 119-141) ページ： 59-62 発行年： 2012年01月04日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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