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文献
J-GLOBAL ID：201202290412959820
整理番号：12A1710146
Si基板上へのAlN層の形成およびSi/AlN上への3C-SiC成長
Formation of AlN layers on Si substrates and growth of 3C-SiC on AlN/Si substrates
中澤日出樹
(弘前大 大学院理工学研究科)
,
鈴木大樹
(弘前大 大学院理工学研究科)
,
成田次理
(弘前大 大学院理工学研究科)
,
山本陽平
(弘前大 大学院理工学研究科)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 112 号： 265(CPM2012 93-111) ページ： 39-44 発行年： 2012年10月19日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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