文献
J-GLOBAL ID:201202291212144268
整理番号:12A1037080
4端子ダブルゲートMOSFETのための統合スケール長
Unified Scale Length for Four-Terminal Double-Gate MOSFETs
著者 (9件):
ZHOU Xingye
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
LIU Feng
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
LIU Feng
(Princeton Univ., NJ, USA)
,
ZHANG Lining
(Hong Kong Univ. Sci. & Technol., HKG)
,
WANG Cheng
(Peking Univ. Hong Kong Univ. Sci. & Technol. Shenzhen-Hong Kong Institution (Ind.-Education-Res.), Shenzhen, CHN)
,
HE Jin
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
HE Jin
(Peking Univ. Hong Kong Univ. Sci. & Technol. Shenzhen-Hong Kong Institution (Ind.-Education-Res.), Shenzhen, CHN)
,
ZHANG Xing
(Peking Univ., Beijing, CHN)
,
CHAN Mansun
(Hong Kong Univ. Sci. & Technol., HKG)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
59
号:
7
ページ:
1997-1999
発行年:
2012年07月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)