文献
J-GLOBAL ID:201202291236054669
整理番号:12A1053115
抵抗分散,ゆらぎ,フィラメント構造およびセット/リセット機構に対する抵抗メモリの電子伝導モデル
An electron conduction model of resistive memory for resistance dispersion, fluctuation, filament structures, and Set/Reset mechanism
著者 (1件):
SASAKI Masayoshi
(Semiconductor Technol. Dev. Group, Advanced Technol. Platform, SONY Co., Atsugi, Kanagawa 243-0014, JPN)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
112
号:
1
ページ:
014501-014501-8
発行年:
2012年07月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)