文献
J-GLOBAL ID:201202291262571833
整理番号:12A0345246
p型シリコンウエハにおける寿命測定のための表面不動態化法の詳細な研究
Detailed Investigation of Surface Passivation Methods for Lifetime Measurements on P-Type Silicon Wafers
著者 (4件):
POLLOCK Kevin L.
(Univ. Konstanz, Konstanz, DEU)
,
POLLOCK Kevin L.
(Univ. California, CA, USA)
,
JUNGE Johannes
(Univ. Konstanz, Konstanz, DEU)
,
HAHN Giso
(Univ. Konstanz, Konstanz, DEU)
資料名:
IEEE Journal of Photovoltaics
(IEEE Journal of Photovoltaics)
巻:
2
号:
1
ページ:
1-6
発行年:
2012年01月
JST資料番号:
W2305A
ISSN:
2156-3381
CODEN:
IJPEG8
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)