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文献
J-GLOBAL ID：201202291333923817
整理番号：12A0895212
N+型およびP+型シリコン基板上の金属-酸化膜-半導体構造における光電子収率と電子脱出深さの決定
Photoemission yield and the electron escape depth determination in metal-oxide-semiconductor structures on N+-type and P+-type silicon substrates
PRZEWLOCKI H. M.
(Inst. of Electron Technol., Al. Lotnikow 32/46, PL 02-668 Warsaw, POL)
,
BRZEZINSKA D.
(Inst. of Electron Technol., Al. Lotnikow 32/46, PL 02-668 Warsaw, POL)
,
ENGSTROM O.
(Dep. of Microtechnology and Nanoscience, Chalmers Univ. of Technol., SE-412 96 Goeteborg, SWE)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 111 号： 11 ページ： 114510-114510-8 発行年： 2012年06月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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