文献
J-GLOBAL ID:201202291333923817
整理番号:12A0895212
N+型およびP+型シリコン基板上の金属-酸化膜-半導体構造における光電子収率と電子脱出深さの決定
Photoemission yield and the electron escape depth determination in metal-oxide-semiconductor structures on N+-type and P+-type silicon substrates
著者 (3件):
PRZEWLOCKI H. M.
(Inst. of Electron Technol., Al. Lotnikow 32/46, PL 02-668 Warsaw, POL)
,
BRZEZINSKA D.
(Inst. of Electron Technol., Al. Lotnikow 32/46, PL 02-668 Warsaw, POL)
,
ENGSTROM O.
(Dep. of Microtechnology and Nanoscience, Chalmers Univ. of Technol., SE-412 96 Goeteborg, SWE)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
111
号:
11
ページ:
114510-114510-8
発行年:
2012年06月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)