文献
J-GLOBAL ID:201202291784390626
整理番号:12A1690568
増感,活性化,および無電解めっき(EP)法を使用して処理したPd/AlGaN/GaNトランジスタの特性
Characteristics of a Pd/AlGaN/GaN Transistor Processed Using the Sensitization, Activation, and Electroless Plating (EP) Approaches
著者 (8件):
HUANG Chien-Chang
(National Cheng-Kung Univ., Tainan, TWN)
,
CHEN Huey-Ing
(National Cheng-Kung Univ., Tainan, TWN)
,
CHEN Tai-You
(National Cheng-Kung Univ., Tainan, TWN)
,
HSU Chi-Shiang
(National Cheng-Kung Univ., Tainan, TWN)
,
CHEN Chun-Chia
(National Cheng-Kung Univ., Tainan, TWN)
,
CHOU Po-Cheng
(National Cheng-Kung Univ., Tainan, TWN)
,
LIOU Jian-Kai
(National Cheng-Kung Univ., Tainan, TWN)
,
LIU Wen-Chau
(National Cheng-Kung Univ., Tainan, TWN)
資料名:
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻:
159
号:
11
ページ:
D637-D641
発行年:
2012年
JST資料番号:
C0285A
ISSN:
1945-7111
CODEN:
JESOAN
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)