文献
J-GLOBAL ID:201202291886509580
整理番号:12A0366156
二状態ナノメモリ素子についてのパラメータを設計
Design parameters for a two-state nanomemory device
著者 (2件):
LEE Richard K.F.
(Univ. Adelaide, SA, AUS)
,
HILL James M.
(Univ. Adelaide, SA, AUS)
資料名:
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻:
700
ページ:
85-88
発行年:
2012年
JST資料番号:
D0716B
ISSN:
0255-5476
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)