文献
J-GLOBAL ID:201202291912205470
整理番号:12A1738534
Kelvinプローブ力顕微鏡法を用いたSiナノワイヤデバイス中の欠陥と輸送特性のキャラクタリゼーション
Characterizing defects and transport in Si nanowire devices using Kelvin probe force microscopy
著者 (6件):
BAE S-S
(Univ. California, CA, USA)
,
PROKOPUK N
(Univ. California, CA, USA)
,
PROKOPUK N
(NAVAIR Res. Dep., CA, USA)
,
QUITORIANO N J
(McGill Univ., QC, CAN)
,
ADAMS S M
(Univ. California, CA, USA)
,
RAGAN R
(Univ. California, CA, USA)
資料名:
Nanotechnology
(Nanotechnology)
巻:
23
号:
40
ページ:
405706,1-9
発行年:
2012年10月12日
JST資料番号:
W0108A
ISSN:
0957-4484
CODEN:
NNOTER
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)