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文献
J-GLOBAL ID:201202291912205470   整理番号:12A1738534

Kelvinプローブ力顕微鏡法を用いたSiナノワイヤデバイス中の欠陥と輸送特性のキャラクタリゼーション

Characterizing defects and transport in Si nanowire devices using Kelvin probe force microscopy
著者 (6件):
BAE S-S
(Univ. California, CA, USA)
PROKOPUK N
(Univ. California, CA, USA)
PROKOPUK N
(NAVAIR Res. Dep., CA, USA)
QUITORIANO N J
(McGill Univ., QC, CAN)
ADAMS S M
(Univ. California, CA, USA)
RAGAN R
(Univ. California, CA, USA)

資料名:
Nanotechnology  (Nanotechnology)

巻: 23  号: 40  ページ: 405706,1-9  発行年: 2012年10月12日 
JST資料番号: W0108A  ISSN: 0957-4484  CODEN: NNOTER  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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