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文献
J-GLOBAL ID：201202292147346725
整理番号：12A1712065
p型ホイスラー化合物:MgO(100)上にエピタキシャル成長させたNiYBi薄膜の成長,構造,および特性
A p-type Heusler compound: Growth, structure, and properties of epitaxial thin NiYBi films on MgO(100)
SHAN Rong
(Inst. fuer Anorganische und Analytische Chemie, Johannes Gutenberg - Universitaet, 55099 Mainz, DEU)
,
OUARDI Siham
(Max Planck Inst. for Chemical Physics of Solids, 01187 Dresden, DEU)
,
FECHER Gerhard H.
(Max Planck Inst. for Chemical Physics of Solids, 01187 Dresden, DEU)
,
GAO Li
(IBM Almaden Res. Center, San Jose, California 95120, USA)
,
KELLOCK Andrew
(IBM Almaden Res. Center, San Jose, California 95120, USA)
,
GLOSKOVSKII Andrei
(Inst. fuer Anorganische und Analytische Chemie, Johannes Gutenberg - Universitaet, 55099 Mainz, DEU)
,
VIOLBARBOSA Carlos E.
(Max Planck Inst. for Chemical Physics of Solids, 01187 Dresden, DEU)
,
IKENAGA Eiji
(Japan Synchrotron Radiation Res. Inst. (JASRI), SPring-8, Hyogo 679-5198, JPN)
,
FELSER Claudia
(Max Planck Inst. for Chemical Physics of Solids, 01187 Dresden, DEU)
,
PARKIN Stuart S. P.
(IBM Almaden Res. Center, San Jose, California 95120, USA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 101 号： 21 ページ： 212102-212102-4 発行年： 2012年11月19日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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