文献
J-GLOBAL ID:201202292252789012
整理番号:12A1009960
Biドナー不純物を多量にドープしたn-ZrNiSn金属間化合物半導体の電気伝導率の特徴
Features of conductivity of the intermetallic semiconductor n-ZrNiSn heavily doped with a Bi donor impurity
著者 (7件):
ROMAKA V. A.
(National Acad. of Sciences of Ukraine, Pidstrygach Inst. for Applied Problems of Mechanics and Mathematics, 79060 ...)
,
ROMAKA V. A.
(National Univ. Lvivska Politekhnika, 79013, Lviv, UKR)
,
ROGL P.
(Universitaet Wien, Inst. fuer Physikalische Chemie, A-1090, Wien, AUT)
,
STADNYK Yu. V.
(Ivan Franko National Univ. of Lviv, 79005, Lviv, UKR)
,
HLIL E. K.
(CNRS, Lab. de Neel, BP 166, 38042, Grenoble, FRA)
,
ROMAKA V. V.
(National Univ. Lvivska Politekhnika, 79013, Lviv, UKR)
,
HORYN A. M.
(Ivan Franko National Univ. of Lviv, 79005, Lviv, UKR)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
46
号:
7
ページ:
887-893
発行年:
2012年07月
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)