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文献
J-GLOBAL ID：201202292252789012
整理番号：12A1009960
Biドナー不純物を多量にドープしたn-ZrNiSn金属間化合物半導体の電気伝導率の特徴
Features of conductivity of the intermetallic semiconductor n-ZrNiSn heavily doped with a Bi donor impurity
ROMAKA V. A.
(National Acad. of Sciences of Ukraine, Pidstrygach Inst. for Applied Problems of Mechanics and Mathematics, 79060 ...)
,
ROMAKA V. A.
(National Univ. Lvivska Politekhnika, 79013, Lviv, UKR)
,
ROGL P.
(Universitaet Wien, Inst. fuer Physikalische Chemie, A-1090, Wien, AUT)
,
STADNYK Yu. V.
(Ivan Franko National Univ. of Lviv, 79005, Lviv, UKR)
,
HLIL E. K.
(CNRS, Lab. de Neel, BP 166, 38042, Grenoble, FRA)
,
ROMAKA V. V.
(National Univ. Lvivska Politekhnika, 79013, Lviv, UKR)
,
HORYN A. M.
(Ivan Franko National Univ. of Lviv, 79005, Lviv, UKR)
資料名：
Semiconductors
(Semiconductors)
巻： 46 号： 7 ページ： 887-893 発行年： 2012年07月
JST資料番号： T0093A ISSN： 1063-7826 CODEN： SMICES 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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