文献
J-GLOBAL ID:201202292962433632
整理番号:12A0269276
エピタキシャル成長させた熱電酸化物薄膜における分光偏光解析法によって決定した輸送特性のモデル化
Modeling the transport properties of epitaxially grown thermoelectric oxide thin films using spectroscopic ellipsometry
著者 (4件):
SARATH KUMAR S. R.
(Materials Sci. and Engineering, King Abdullah Univ. of Sci. and Technol. (KAUST), Thuwal 23955-6900, Saudi Arabia)
,
ABUTAHA Anas I.
(Materials Sci. and Engineering, King Abdullah Univ. of Sci. and Technol. (KAUST), Thuwal 23955-6900, Saudi Arabia)
,
HEDHILI M. N.
(Imaging and Characterization Lab., King Abdullah Univ. of Sci. and Technol. (KAUST), Thuwal 23955-6900, Saudi Arabia)
,
ALSHAREEF H. N.
(Materials Sci. and Engineering, King Abdullah Univ. of Sci. and Technol. (KAUST), Thuwal 23955-6900, Saudi Arabia)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
100
号:
5
ページ:
052110
発行年:
2012年01月30日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)